Моя заявка (0)

MJD127T4G, биполярный составной транзистор (Дарлингтона), PNP -100 В, -8 А, TO- 252 (DPAK)

MJD127T4G, биполярный составной транзистор (Дарлингтона), PNP -100 В, -8 А, TO- 252 (DPAK)

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8039025156
Артикул
MJD127T4G
Бренд
JSMicro Semiconductor Co., Ltd
Тип
Составной транзистор(Дарлингтона)
Вес, г
0.53
Корпус
TO-252(DPAK)
Описание
Транзистор биполярный PNP;-100 В;-8 А; hFE 1000…20000; TO-252(DPAK)
Цена по запросу
(от 13 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

ТипСоставной транзистор(Дарлингтона)
Вес, г0.53
КорпусTO-252(DPAK)
ОписаниеТранзистор биполярный PNP;-100 В;-8 А; hFE 1000…20000; TO-252(DPAK)
УпаковкаREEL, 2500 шт.
Способ монтажаПоверхностный
Тип проводимостиPNP
Граничная частота ft, МГц4
Коэффициент усиления hFE мин.1000
Коэффициент усиления hFE макс.20000
Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В-4
Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В-100
Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В-100
Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В-5
Транспортная упаковка: размер/кол-во41*41*39/10000
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт20
Максимальный постоянный ток коллектора, А-8

Техническая документация