Моя заявка (0)

MJD127T4G, Транзистор: PNP, биполярный, Дарлингтон, 100В, 8А, 20Вт, DPAK

MJD127T4G, Транзистор: PNP, биполярный, Дарлингтон, 100В, 8А, 20Вт, DPAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017528152
Артикул
MJD127T4G
Бренд
ON Semiconductor***
Width
6.22mm
Pin Count
3
Вес, г
0.6
Power - Max
1.75 W
Цена по запросу
(от 70,07 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: PNP, биполярный, Дарлингтон, 100В, 8А, 20Вт, DPAK Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP

Технические параметры

Width6.22mm
Pin Count3
Вес, г0.6
Power - Max1.75 W
Package TypeDPAK(TO-252)
КорпусDPAK/TO-252AA
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-252-3, DPAK(2 Leads+Tab), SC-63
Transistor TypePNP
Структураpnp
Operating Temperature-65°C ~ 150°C(TJ)
Frequency - Transition4MHz
Minimum DC Current Gain100
Supplier Device PackageDPAK
Transistor ConfigurationSingle
Number of Elements per Chip1
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-65 °C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic4V @ 80mA, 8A
Current - Collector (Ic) (Max)8 A
Maximum Collector Base Voltage100 V
Current - Collector Cutoff (Max)10µA
Maximum Collector Cut-off Current0.01mA
Maximum Collector Emitter Voltage100 V
Maximum Continuous Collector Current8 A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce1000 @ 4A, 4V
Maximum Base Emitter Saturation Voltage4.5 V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage4 V
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт20
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)8
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В100

Техническая документация