MJD117T4G, Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006230133
- Артикул
- MJD117T4G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 6.22mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.43
- No. of Pins
- 4Pins
Цена по запросу
(от 94,65 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полярность транзистора: PNP; Напряжение коллектор-эмиттер V(br) ceo: -100 В; Частота переxода ft: 25 МГц; Рассеиваемая мощность Pd: 1,75 Вт; Ток коллектора постоянного тока: -2 А; Коэффициент усиления по постоянному току hFE: 200hFE; Tra
Технические параметры
| Width | 6.22mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.43 |
| No. of Pins | 4Pins |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | PNP |
| RF Transistor Case | TO-252(DPAK) |
| Структура | pnp |
| DC Current Gain hFE | 200hFE |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Transistor Polarity | PNP |
| DC Collector Current | 2A |
| Power Dissipation Pd | 20W |
| Minimum DC Current Gain | 200 |
| Transistor Configuration | Single |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 100 V |
| Maximum Collector Cut-off Current | 0.02mA |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 100 V |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | 100V |
| Maximum Continuous Collector Current | 4 A |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 4 V |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 3 V |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 2 |