Моя заявка (0)

MJD117T4, Trans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

MJD117T4, Trans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001284175
Артикул
MJD117T4
Бренд
STMicroelectronics
Tab
Tab
PPAP
No
Type
PNP
Width
6.2mm
Цена по запросу
(от 49 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: PNP, биполярный, Дарлингтон, 100В, 2А, 20Вт, DPAK Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
TypePNP
Width6.2mm
Brand:STMicroelectronics
EU RoHSCompliant with Exemption
Series:MJD117
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.66
PCB changed2
Part StatusActive
Package TypeDPAK(TO-252)
Subcategory:Transistors
КорпусDPAK/TO-252AA
ConfigurationSingle
Manufacturer:STMicroelectronics
Mounting TypeSurface Mount
Package/Case:TO-252
Product Type:Darlington Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor TypePNP
Supplier PackageDPAK
УпаковкаREEL, 2500 шт.
Product Category:Darlington Transistors
Структураpnp
Transistor Polarity:PNP
Standard Package NameTO-252
Minimum DC Current Gain500@500mA@3V|200@4A@3V|1000@2A@3V
Transistor ConfigurationSingle
Supplier Temperature GradeIndustrial
Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
Number of Elements per Chip1
Способ монтажаПоверхностный
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Collector- Base Voltage VCBO:100 V
Maximum DC Collector Current:2 A
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-65 °C
Maximum Collector Base Voltage100 V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Maximum Power Dissipation (mW)20000
DC Collector/Base Gain hFE Min:200
Maximum Emitter Base Voltage (V)5
Maximum Collector Cut-off Current0.02mA
Maximum Collector Emitter Voltage100 V
Maximum Collector Base Voltage (V)100
Maximum Collector Cut-off Current:20 uA
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-65
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:100 V
Maximum Continuous Collector Current4 A
Typical Current Gain Bandwidth (MHz)25(Min)
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)100
Maximum Collector Cut-Off Current (uA)20
Maximum Base Emitter Saturation Voltage4 V
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)4@40mA@4A
Maximum Continuous DC Collector Current (A)2
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)3@40mA@4A|2@8mA@2A
Транспортная упаковка: размер/кол-во61*51*51/2500
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)2

Техническая документация