MJD112T4G NPN Darlington Transistor, 4 A 100 V HFE:200, 3-Pin DPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8029299704
- Артикул
- MJD112T4G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 6.22mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.05
- Package Type
- DPAK(TO-252)
Цена по запросу
(от 55 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А
Технические параметры
| Width | 6.22mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.05 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Корпус | DPAK/TO-252AA |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Minimum DC Current Gain | 200 |
| Transistor Configuration | Single |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 100 V |
| Maximum Collector Cut-off Current | 0.02mA |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 100 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 4 A |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 4 V |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 3 V |