MJB5742T4G, Darlington Transistors BIP D2PAK XSTR TR
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061652011
- Артикул
- MJB5742T4G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Type
- NPN
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 1 370 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор Darlington NPN 400V 8A 2000 МВт 3-контактный(2+Tab) D2PAK T/R
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 2 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Корпус | d2pak |
| Configuration | Single |
| Supplier Package | D2PAK |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Minimum DC Current Gain | 50@0.5A@5V|200@4A@5V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 8 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 400 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 2.5@0.2A@4A|3.5@0.4A@8A |
| Maximum Continuous DC Collector Current (A) | 8 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 2@0.2A@4A|3@0.4A@8A |