MJB44H11T4G, 80V 2W 10A NPN TO-263-2 Bipolar Transistors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017611572
- Артикул
- MJB44H11T4G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Type
- NPN
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 201,30 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 8A 80V 50W NPN
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 2.08 |
| Длина | 10.29 mm (Max) |
| Серия | MJB44H11 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Высота | 4.83 mm (Max) |
| Корпус | TO-263 |
| Ширина | 9.65 mm (Max) |
| Configuration | Single |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | D2PAK |
| Структура | npn |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 60 2A 1V|40 4A 1V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 10 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 50(Typ) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 80 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.5 0.8A 8A |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 50 W |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 1 0.4A 8A |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 10 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 5 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 10 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz |