MJB44H11G, Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001219302
- Артикул
- MJB44H11G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Brand
- ON Semiconductor
- Width
- 9.65 mm(Max)
- Height
- 4.83 mm(Max)
Цена по запросу
(от 140 ₽)
Минимальный заказ: 250 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ТРАНЗИСТОР, БИПОЛЯРНЫЙ, NPN, 80 В, TO-263-3; Полярность транзистора:NPN; Напряжение коллектор-эмиттер, V(br)ceo:80 В; Частота переxода ft: 50 МГц; Рассеиваемая мощность Pd:50 Вт; Ток коллектора постоянного тока:10 А; Коэффициент усиления по постоянному току hFE:40hFE; Тип корпуса транзистора: TO-263; Количество контактов: 3; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции:-; Автомобильный квалификационный стандарт: AEC-Q101; MSL: MSL 1 - Неограниченный; SVHC:Ведущий (27 июня 2018 г.)
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | ON Semiconductor |
| Width | 9.65 mm(Max) |
| Height | 4.83 mm(Max) |
| Length | 10.29 mm(Max) |
| Series | MJB44H11 |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 3+Tab |
| Вес, г | 1 |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Корпус | D2Pak(TO-263) |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-263-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Factory Pack Quantity | 800 |
| Pd - Power Dissipation | 50 W |
| Minimum DC Current Gain | 60 |
| Transistor Configuration | Single |
| Gain Bandwidth Product fT | 50 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 50 W |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 1 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 5 V |
| Continuous Collector Current | 10 A |
| Maximum DC Collector Current | 10 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V dc |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 60 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V dc |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 80 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1 V |