Моя заявка (0)

MJB42CT4G, 100V 2W 15@3A,4V 6A 3MHz 1.5V@6A,600mA PNP -65°C~+150°C@(Tj) TO-263-2 BIpolar TransIstors - BJT

MJB42CT4G, 100V 2W 15@3A,4V 6A 3MHz 1.5V@6A,600mA PNP -65°C~+150°C@(Tj) TO-263-2 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017601900
Артикул
MJB42CT4G
Бренд
ON Semiconductor***
HTS
8541.29.00.95
Tab
Tab
Type
PNP
EU RoHS
Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 378,66 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

HTS8541.29.00.95
TabTab
TypePNP
EU RoHSCompliant with Exemption
MaterialSi
MilitaryNo
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1.82
PCB changed2
Part StatusActive
КорпусTO-263
ConfigurationSingle
Package Width9.65(Max)
Package Height4.83(Max)
Package Length10.29(Max)
Product CategoryBipolar Power
Supplier PackageD2PAK
Структураpnp
Standard Package NameTO-263
Minimum DC Current Gain30@0.3A@4V|15@3A@4V
Maximum Base Current (A)2
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)2000
Maximum DC Collector Current (A)6
Maximum Emitter Base Voltage (V)5
Maximum Collector Base Voltage (V)100
Maximum Transition Frequency (MHz)3(Min)
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-65
Operating Junction Temperature (°C)-65 to 150
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)100
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)1.5@600mA@6A
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)600
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц3