MJB41CG, TO-263-3 Bipolar Transistors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017626176
- Артикул
- MJB41CG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Brand
- ON Semiconductor
- Width
- 9.65 mm(Max)
- Height
- 4.83 mm(Max)
Цена по запросу
(от 230 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 6A 100V 65W NPN
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | ON Semiconductor |
| Width | 9.65 mm(Max) |
| Height | 4.83 mm(Max) |
| Length | 10.29 mm(Max) |
| Series | MJB41C |
| Packaging | Cut Tape |
| Вес, г | 2.31 |
| Длина | 10.29 mm (Max) |
| Серия | MJB41C |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Высота | 4.83 mm (Max) |
| Корпус | TO-263 |
| Ширина | 9.65 mm (Max) |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-263-3 |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Упаковка | Tube |
| Transistor Polarity | NPN |
| Factory Pack Quantity | 800 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 65 W |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product fT | 3 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 100 V |
| Continuous Collector Current | 6 A |
| Maximum DC Collector Current | 6 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 30 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 100 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.5 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 65 W |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 6 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 6 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3 MHz |