MJ802G, Bipolar Transistors - BJT 30A 90V 200W NPN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006230323
- Артикул
- MJ802G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand
- onsemi
- Pin Count
- 2
- Вес, г
- 12
- Длина
- 39.37 mm
Цена по запросу
(от 1 146 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Биполярный транзистор Тип NPN, UКЭ(макс) 90 В, IК(макс) 30 А, Pрасс 200 Вт, Fгран 2 МГц, h21 2 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN
Технические параметры
| Brand | onsemi |
| Pin Count | 2 |
| Вес, г | 12 |
| Длина | 39.37 mm |
| Серия | MJ802 |
| Package Type | TO-204AA |
| Высота | 8.51 mm (Max) |
| Корпус | то-3 |
| Ширина | 26.67 mm (Max) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Размеры | 39.37 x 26.67 x 8.51мм |
| Transistor Type | NPN |
| Упаковка | Tray |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип корпуса | TO-204AA |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Minimum DC Current Gain | 25 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 200 W |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-204-2 |
| Maximum DC Collector Current | 30 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 4 V |
| Maximum Operating Temperature | +200 °C |
| Тип транзистора | NPN |
| Число контактов | 2 |
| Maximum Collector Base Voltage | 100 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 90 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 200 W |
| Размер фабричной упаковки | 100 |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 4 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 30 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Максимальное рассеяние мощности | 200 W |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный пост. ток коллектора | 30 A |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 4 В |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 200 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 30 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 90 V |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 100 В |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 30 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.8 V |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 25 |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 90 V |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1,3 В |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 2 |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,8 В |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 25 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 90 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 2 MHz |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 100 |