Моя заявка (0)

MJ2955G, Транзистор биполярный, PNP 60В 15A 115Вт B 5 TO3

MJ2955G, Транзистор биполярный, PNP 60В 15A 115Вт B 5 TO3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026777587
Артикул
MJ2955G
Бренд
ON Semiconductor***
Pin Count
3
Вес, г
12.04
Длина
39.37 mm
Серия
MJ2955
Цена по запросу
(от 810 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 15A 60V 115W PNP

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г12.04
Длина39.37 mm
СерияMJ2955
Package TypeTO-204AA
Высота8.51 mm (Max)
КорпусTO-3
Ширина26.67 mm (Max)
Mounting TypeThrough Hole
Transistor TypePNP
УпаковкаTray
Структураpnp
Вид монтажаThrough Hole
Minimum DC Current Gain20
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation115 W
Maximum Operating Frequency1 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокTO-204-2
Maximum DC Collector Current15 A
Maximum Emitter Base Voltage7 V dc
Maximum Operating Temperature+200 °C
Maximum Collector Base Voltage100 V dc
Maximum Collector Emitter Voltage70 V dc
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности115 W
Размер фабричной упаковки100
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7 V
Непрерывный коллекторный ток15 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)100 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт115
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.60 V
Максимальный постоянный ток коллектора15 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.1 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)20
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)2.5 MHz

Техническая документация