MJ21196G, Транзистор 3-х канальный NPN BJT 16A 250В 250Вт B 8 TO3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8059697895
- Артикул
- MJ21196G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 12.04
- Длина
- 39.37 mm
- Серия
- MJ21196
Цена по запросу
(от 1 430 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 16 А, 250 Вт
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 12.04 |
| Длина | 39.37 mm |
| Серия | MJ21196 |
| Package Type | TO-204AA |
| Высота | 8.51 mm (Max) |
| Корпус | TO-3 | то-3 |
| Ширина | 26.67 mm (Max) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Transistor Type | NPN |
| Упаковка | Tray |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 250 W |
| Maximum Operating Frequency | 1 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-204-2 |
| Maximum DC Collector Current | 30 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V dc |
| Maximum Operating Temperature | +200 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 400 V dc |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 250 V dc |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 250 W |
| Размер фабричной упаковки | 100 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 16 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 400 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 250 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 16 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 250 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 16 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.4 V |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 25 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 4 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 250 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 4 MHz |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 400 |