Моя заявка (0)
MJ21193G, Bipolar Transistors - BJT 16A 250V 250W PNP

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006228386
Артикул
MJ21193G
Бренд
ON Semiconductor***
Category
Bipolar Power
Mounting
Through Hole
Frequency
4(MHz)
Packaging
Tray
Цена по запросу
(от 1 170 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: PNP; биполярный; 250В; 16А; 250Вт; TO3 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP

Технические параметры

CategoryBipolar Power
MountingThrough Hole
Frequency4(MHz)
PackagingTray
Pin Count2
Вес, г12
Output PowerNot Required(W)
Package TypeTO-204AA
Rad HardenedNo
Корпусто-3
ConfigurationSingle
Mounting TypeThrough Hole
DC Current Gain25
Frequency (Max)4 MHz
Transistor TypePNP
Power Dissipation250(W)
Number of Elements1
Структураpnp
Transistor PolarityPNP
Emitter-Base Voltage5(V)
Operating Temp Range-65C to 200C
DC Current Gain (Min)25
Collector Current (DC)16(A)
Collector-Base Voltage400(V)
Transistor ConfigurationSingle
Collector-Emitter Voltage250(V)
Maximum Power Dissipation250 W
Number of Elements per Chip1
Collector Current (DC) (Max)16 A
Maximum DC Collector Current-16 A
Maximum Emitter Base Voltage-5 V
Maximum Operating Temperature+200 °C
Maximum Collector Base Voltage-400 V
Maximum Collector Emitter Voltage-250 V
Operating Temperature ClassificationMilitary
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)16
Статический коэффициент передачи тока h21э мин25
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц4
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В250
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В400

Техническая документация