Моя заявка (0)

MJ15016G, Trans GP BJT PNP 120V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray

MJ15016G, Trans GP BJT PNP 120V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001120787
Артикул
MJ15016G
Бренд
ON Semiconductor***
Brand
ON Semiconductor
Width
26.67mm
Height
8.51mm
Length
39.37mm
Цена по запросу
(от 1 210 ₽)
Минимальный заказ: 19 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые транзисторы PNP НА полупроводниковыx

Технические параметры

BrandON Semiconductor
Width26.67mm
Height8.51mm
Length39.37mm
CategoryBipolar Power
MountingThrough Hole
Frequency18(MHz)
PackagingTray
Pin Count2
Dimensions39.37 x 26.67 x 8.51mm
Вес, г14
Output PowerNot Required(W)
Package TypeTO-204AA
Rad HardenedNo
ConfigurationSingle
Mounting TypeThrough Hole
DC Current Gain10
Frequency (Max)18 MHz
Transistor TypePNP
Power Dissipation115(W)
Number of Elements1
Структураpnp
Transistor PolarityPNP
Emitter-Base Voltage7(V)
Operating Temp Range-65C to 200C
DC Current Gain (Min)10
Collector Current (DC)15(A)
Collector-Base Voltage200(V)
Minimum DC Current Gain5
Transistor ConfigurationSingle
Collector-Emitter Voltage120(V)
Maximum Power Dissipation180 W
Maximum Operating Frequency1 MHz
Number of Elements per Chip1
Collector Current (DC) (Max)15 A
Maximum DC Collector Current15 A
Maximum Emitter Base Voltage7 V
Maximum Operating Temperature+200 °C
Minimum Operating Temperature-65 °C
Maximum Collector Base Voltage200 V
Maximum Collector Emitter Voltage120 V
Operating Temperature ClassificationMilitary
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage5 V

Техническая документация