MJ15004G PNP Transistor, -20 A, -140 V, 2-Pin TO-204AA
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014470975
- Артикул
- MJ15004G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Brand
- ON Semiconductor
- Width
- 26.67 mm(Max)
- Height
- 8.51 mm(Max)
Цена по запросу
(от 1 270 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 140В, 20А, 250Вт, TO3 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | ON Semiconductor |
| Width | 26.67 mm(Max) |
| Height | 8.51 mm(Max) |
| Length | 39.37 mm |
| Series | MJ15004 |
| Packaging | Tray |
| Pin Count | 2 |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 39.37 mm |
| Серия | MJ15004 |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | TO-204AA |
| Высота | 8.51 mm |
| Корпус | то-3 |
| Ширина | 26.67 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-204-2 |
| Transistor Type | PNP |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Упаковка | Tray |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity | PNP |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 100 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Pd - Power Dissipation | 250 W |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product fT | 2 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 250 W |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 2 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-204-2 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 140 V |
| Continuous Collector Current | 20 A |
| Maximum DC Collector Current | 20 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +200 °C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 25 |
| Maximum Collector Base Voltage | 140 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 140 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 140 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1 V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 250 W |
| Размер фабричной упаковки | 100 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 20 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 140 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 250 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 20 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 140 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 20 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 25 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 2 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 140 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 2 MHz |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 140 |