MJ14002G, Trans GP BJT NPN 80V 60A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001170764
- Артикул
- MJ14002G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 2
- Вес, г
- 18
- Длина
- 38.86 mm
- Серия
- MJ14002
Цена по запросу
(от 5 560 ₽)
Минимальный заказ: 6 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые NPN-транзисторы НА полупроводниковыx
Технические параметры
| Pin Count | 2 |
| Вес, г | 18 |
| Длина | 38.86 mm |
| Серия | MJ14002 |
| Package Type | TO-204 |
| Высота | 8.51 mm |
| Ширина | 26.67 mm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Transistor Type | NPN |
| Упаковка | Tray |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 15 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 300 W |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current | 60 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +200 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 300 W |
| Размер фабричной упаковки | 100 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 60 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 60 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |