MJ11016G TO3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8075234580
- Артикул
- MJ11016G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 1
- Длина
- 39.37 mm
- Серия
- MJ11016
- Высота
- 8.51 mm
Цена по запросу
(от 1 060 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторы Дарлингтона 30A 120V Bipolar Power NPN
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Длина | 39.37 mm |
| Серия | MJ11016 |
| Высота | 8.51 mm |
| Ширина | 26.67 mm |
| Упаковка | Tray |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | Darlington Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-204-2 (TO-3) |
| Категория продукта | Транзисторы Дарлингтона |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 200 W |
| Размер фабричной упаковки | 100 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 30 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 120 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 120 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 30 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200, 1000 |