Моя заявка (0)

MJ11016G, Транзистор силовой биполярный TO-3

MJ11016G, Транзистор силовой биполярный TO-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8065998704
Артикул
MJ11016G
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
11.86
Длина
39.37 mm
Серия
MJ11016
Высота
8.51 mm
Цена по запросу
(от 854 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзисторы Дарлингтона 30A 120V Bipolar Power NPN

Технические параметры

Вес, г11.86
Длина39.37 mm
СерияMJ11016
Высота8.51 mm
Корпусто-3
Ширина26.67 mm
УпаковкаTray
Структураnpn
Вид монтажаThrough Hole
Тип продуктаDarlington Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокTO-204-2 (TO-3)
Категория продуктаТранзисторы Дарлингтона
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности200 W
Размер фабричной упаковки100
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток30 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)120 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт200
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)30
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.120 V
Максимальный постоянный ток коллектора30 A
Статический коэффициент передачи тока h21э мин1000
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц4
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200, 1000
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В120
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В120

Техническая документация