Моя заявка (0)

MJ11015G, Транзистор: PNP, биполярный, Дарлингтон, 120В, 30А, 200Вт, TO3

MJ11015G, Транзистор: PNP, биполярный, Дарлингтон, 120В, 30А, 200Вт, TO3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062033468
Артикул
MJ11015G
Бренд
ON Semiconductor***
Width
8.51 mm
Height
26.67 mm
Length
39.37 mm
Pin Count
2
Цена по запросу
(от 847,44 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: PNP, биполярный, Дарлингтон, 120В, 30А, 200Вт, TO3 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP

Технические параметры

Width8.51 mm
Height26.67 mm
Length39.37 mm
Pin Count2
Dimensions39.37x8.51x26.67 mm
Вес, г11.87
Base Current1 A
Package TypeTO-3
КорпусTO-3 | то-3
ConfigurationDual
Mounting TypeThrough Hole
Transistor TypePNP
Структураpnp
Minimum DC Current Gain200
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation200 W
Number of Elements per Chip2
Operating Temperature Range-55 to+200 °C
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Maximum Operating Temperature+200 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Collector Base Voltage120 V
Maximum Collector Emitter Voltage120 V
Maximum Continuous Collector Current30 A
Maximum Base Emitter Saturation Voltage5 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage4 V
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт200
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)30
Статический коэффициент передачи тока h21э мин1000
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц4
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В120
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В120

Техническая документация