MJ11012G, Транзистор: NPN, биполярный, Дарлингтон, 60В, 30А, 200Вт, TO3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062033506
- Артикул
- MJ11012G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Type
- NPN
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор биполярный MJ11012G от производителя ONSEMI – это мощный компонент в корпусе TO3 для монтажа THT, предназначенный для работы в высоконагруженных электронных схемах. Отличительной особенностью данного транзистора является его конфигурация NPN|Дарлингтон, что обеспечивает высокий коэффициент усиления тока. Такой транзистор способен управлять током коллектора до 30 А и выдерживать напряжение коллектор-эмиттер до 60 В, а его мощность достигает 200 Вт, что позволяет использовать его в силовой электронике и различных автоматизированных системах. Продукт с кодом MJ11012G сочетает в себе надежность и долговечность, что делает его отличным выбором для разработки промышленного оборудования. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN, Дарлингтон Монтаж THT Ток коллектора, А 30 Напряжение коллектор-эмиттер, В 60 Мощность, Вт 200 Корпус TO3
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Type | NPN |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tray |
| Pin Count | 2 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 12.08 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Package Type | TO-204AA |
| Корпус | TO-3 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Width | 26.67(Max) |
| Package Length | 39.37 |
| Transistor Type | NPN |
| EDA / CAD Models | MJ11012G by Ultra Librarian |
| Supplier Package | TO-3 |
| Структура | npn |
| Standard Package Name | TO |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Minimum DC Current Gain | 200 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 200 W |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +200 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| DC Ток Коллектора | 30А |
| Maximum Collector Base Voltage | 60 V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 200000 |
| DC Усиление Тока hFE | 1000hFE |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 60 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 200 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Количество Выводов | 2вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Maximum Continuous Collector Current | 30 A |
| Typical Current Gain Bandwidth (MHz) | 4(Min) |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 60 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 5 V |
| Корпус РЧ Транзистора | TO-204AA |
| Рассеиваемая Мощность | 200Вт |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 3.5@200mA@20A|5@300mA@30A |
| Maximum Continuous DC Collector Current (A) | 30 |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 4 V |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 3@200mA@20A|4@300mA@30A |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 60В |
| Максимальная Рабочая Температура | 200°C |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 |