MGSF1N03LT1G, 30V 1.6A 420mW 100mOhm@10V,1.2A N Channel SOT-23(TO-236) MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026506423
- Артикул
- MGSF1N03LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 1.4mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.05
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 17,71 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Width | 1.4mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.05 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Корпус | SOT-23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Power Dissipation (Pd) | 420mW |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 690 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 6 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 140pF@5V |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 1.6A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 145 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.1 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.42 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 100mΩ@10V, 1.2A |