MGSF1N02LT1G, Транзистор N-МОП, полевой, 20В, 750мА, 400мВт, SOT23-6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017539605
- Артикул
- MGSF1N02LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- SOT23-3
- Width
- 1.4mm
- Mounting
- SMD
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 28,54 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 20В, 750мА, 400мВт, SOT23-6 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Case | SOT23-3 |
| Width | 1.4mm |
| Mounting | SMD |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.02 |
| Gate charge | 6nC |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Package Type | SOT-23 |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | sot23 |
| Drain current | 0.75A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 0.4W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-МОП |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 90mΩ |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 20V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 400 mW |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 130 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 750 mA |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.6V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.75 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |