Моя заявка (0)

ME2325-G, 30V 4.3A 50m-@10V,4.1A 1.4W 3V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs

ME2325-G, 30V 4.3A 50m-@10V,4.1A 1.4W 3V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8048836045
Артикул
ME2325-G
Бренд
MATSUKI
Type
P Channel
Вес, г
0.05
Корпус
SOT-23
Структура
P-Channel
Цена по запросу
(от 12 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

30 В, 4,3 А, 50 Мом при 10 В, 4,1 А, 1,4 Вт, 3 В, 250uA, P-канальные МОП-транзисторы SOT-23 ROHS

Технические параметры

TypeP Channel
Вес, г0.05
КорпусSOT-23
СтруктураP-Channel
Transistor PolarityP Channel
Power Dissipation (Pd)1.4W
Особенности-
Vgs - Gate-Source Voltage3V @ 250uA
Drain Source Voltage (Vdss)30V
Continuous Drain Current (Id)4.3A
Rds On - Drain-Source Resistance50mО© @ 4.1A,10V
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)1.4W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)3V@250uA
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage30V
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C4.3A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)50mΩ@10V, 4.1A
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4.3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±10В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)50mΩ@10V, 4.1A

Техническая документация