ME20N10-VB, 100V 15A 114m-@10V,3A 96W 2.5V@250uA 60pF@25V N Channel 950pF@25V 24nC@10V -55-~+175-@(Tj) TO-252-3 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015933625
- Артикул
- ME20N10-VB
- Бренд
- Vbsemi Electronics Co., Ltd.
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 0.4
- Корпус
- TO-252
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 92 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
100 В 15 А 114 Мом при 10 В, 3 А 96 Вт 2.5V@250uA N-канальные МОП-транзисторы TO-252 соответствуют требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.4 |
| Корпус | TO-252 |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 96W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 24nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 950pF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 15A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 60pF@25V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 15 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 96 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 114mΩ@10V, 3A |