Моя заявка (0)

MDV5524URH, Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A/9.9A 8-Pin Power DFN EP T/R

MDV5524URH, Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A/9.9A 8-Pin Power DFN EP T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002199950
Артикул
MDV5524URH
Бренд
MagnaChip Semiconductor
PPAP
Unknown
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Pin Count
8
Цена по запросу
(от 35 ₽)
Минимальный заказ: 860 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 30V 8.5A/9.9A с 8-контактным разъемом питания DFN EP T/R

Технические параметры

PPAPUnknown
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count8
AutomotiveUnknown
Вес, г1
PCB changed8
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationDual
Package Width3
Package Length3
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackagePower DFN EP
Maximum IDSS (uA)1
СтруктураN-Channel
Standard Package NameDFN
Typical Fall Time (ns)6.5@FET 1|7.1@FET 2
Typical Rise Time (ns)10.2@FET 1|10.4@FET 2
Особенности-
Number of Elements per Chip2
Maximum Power Dissipation (mW)1800@FET 1|2100@FET 2
Typical Gate Charge @ 10V (nC)7.2@FET 1|18@FET 2
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)3.6@4.5V|7.2@10V@FET 1|8.1@4.5V|18@10V@FET 2
Maximum Gate-Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)6.7@FET 1|9.3@FET 2
Maximum Drain-Source Voltage (V)30
Typical Turn-Off Delay Time (ns)17.3@FET 1|41.8@FET 2
Maximum Gate Threshold Voltage (V)2.4@FET 1|2@FET 2
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)8.5@FET 1|9.9@FET 2
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)386@15V@FET 1|1037@15V@FET 2
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)14.4@10V@FET 1|12.6@10V@FET 2
Maximum Gate-Source Leakage Current (nA)100
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А8.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В

Техническая документация