Моя заявка (0)

MDV1595SURH, Trans MOSFET N-CH 30V 13.4A 8-Pin Power DFN EP T/R

MDV1595SURH, Trans MOSFET N-CH 30V 13.4A 8-Pin Power DFN EP T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002199941
Артикул
MDV1595SURH
Бренд
MagnaChip Semiconductor
PPAP
Unknown
Type
Power MOSFET
Category
Power MOSFET
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 26 ₽)
Минимальный заказ: 1200 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 30 В 13,4 А с 8-контактным разъемом питания DFN EP T/R

Технические параметры

PPAPUnknown
TypePower MOSFET
CategoryPower MOSFET
MountingSurface Mount
PolarityN
PackagingTape and Reel
Pin Count8
AutomotiveUnknown
Вес, г1
PCB changed8
Part StatusActive-Unconfirmed
Channel ModeEnhancement
Package TypePOWER DFN EP
Rad HardenedNo
ConfigurationSingle Quad Drain Triple Source
Package Width3.2(Max)
Package Length3.2(Max)
Supplier PackagePower DFN EP
Maximum IDSS (uA)500
Power Dissipation3.4(W)
Number of Elements1
СтруктураN
Drain-Source On-Volt30(V)
Operating Temp Range-55C to 150C
Standard Package NameDFN
Typical Fall Time (ns)4.3
Typical Rise Time (ns)3.1
Continuous Drain Current13.4(A)
Gate-Source Voltage (Max)±12(V)
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)3400
Typical Gate Charge @ 10V (nC)22.3
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)22.3@10V, 9.9@4.5V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±12
Typical Turn-On Delay Time (ns)7.8
Maximum Drain-Source Voltage (V)30
Typical Turn-Off Delay Time (ns)33.5
Maximum Gate Threshold Voltage (V)2
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Operating Temperature ClassificationMilitary
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1426@15V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)10.7@10V
Maximum Gate-Source Leakage Current (nA)100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А13.4

Техническая документация