MDU5593SVRH, Trans MOSFET N-CH 30V 13A/21A 8-Pin DFN EP T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002199924
- Артикул
- MDU5593SVRH
- Бренд
- MagnaChip Semiconductor
- PPAP
- Unknown
- Mounting
- Surface Mount
- Packaging
- Tape and Reel
- Pin Count
- 8
Цена по запросу
(от 74 ₽)
Минимальный заказ: 410 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 30V 13A/21A с 8-контактным разъемом DFN EP T/R
Технические параметры
| PPAP | Unknown |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | Unknown |
| Lead Shape | No Lead |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Unconfirmed |
| Configuration | Dual |
| Package Width | 6.1(Max) |
| Package Length | 5.1(Max) |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | DFN EP |
| Maximum IDSS (uA) | 1@FET 1|500@FET 2 |
| Process Technology | TMOS |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | DFN |
| Typical Fall Time (ns) | 6.9@FET 1|14.5@FET 2 |
| Typical Rise Time (ns) | 12.1@FET 1|8.9@11.9@FET 2 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2200@FET 1|2500@FET 2 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 18@FET 1|26.1@FET 2 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 9.5@4.5V|18@10V@FET 1|12.6@4.5V|26.1@10V@FET 2 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 9.9@FET 1|11.9@FET 2 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 28.5@FET 1|45.5@FET 2 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1142@15V@FET 1|1785@15V@FET 2 |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 8@10V@FET 1|3.3@10V@FET 2 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 13@FET 1|21@FET 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |