MDT4N65, 650V 4A 50W N Channel -55-~+150-@(Tj) TO-252 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015851446
- Артикул
- MDT4N65
- Бренд
- Minos
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 0.4
- Корпус
- TO-252
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 24,48 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
650 В 4A 2Ohm при 10 В, 1A 50 Вт 4 В при 250uA N-канальные МОП-транзисторы TO-252 ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.4 |
| Корпус | TO-252 |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 50W |
| Особенности | высоковольтный |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 15nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 545pF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 4A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 8pF@25V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 50 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2Ω@10V, 1A |