MD200HFR120C2S, Silicon Carbide MOSFET, Silicon Carbide, Half Bridge, Dual N Channel, 299 A, 1.2 kV, 0.0087 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001728129
- Артикул
- MD200HFR120C2S
- Бренд
- STARPOWER
- Вес, г
- 462.7
- Channel Type
- Dual N Channel
- Структура
- N-Channel
- Особенности
- полевая сборка
Цена по запросу
(от 175 600 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 462.7 |
| Channel Type | Dual N Channel |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | полевая сборка |
| Drain Source On State Resistance | 0.0067Ом |
| Непрерывный Ток Стока | 299А |
| Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5.6В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 18В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Конфигурация МОП-транзистора | Half Bridge |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0067Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 299 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0087 Ом |