Моя заявка (0)
MCU75N06YHE3-TP, MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030833604
Артикул
MCU75N06YHE3-TP
Бренд
Micro Commercial Components Corp. (MCC)
Brand:
Micro Commercial Components(MCC)
Fall Time:
12.4 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
10.6 ns
Цена по запросу
(от 360 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Микрокомпоненты (MCC) MCU75 N-канальные МОП-транзисторы MCU75 имеют сертификат AEC-Q101, что обеспечивает высокую надежность в автомобилестроении. MCC MCU75 оснащен теxнологией MOSFET с разделенным затвором и конструкцией ячеек высокой плотности, обеспечивающей сверxнизкое значение RDS (on), что способствует повышению эффективности работы. MOSFET имеют уровень чувствительности к влаге 1 и не содержат галогенов, что является "зеленым" знаком защиты окружающей среды. Эпоксидная смола соответствует строгому стандарту воспламеняемости UL 94V-0, что повышает безопасность. Кроме того, не содержащее свинца покрытие обеспечивает соответствие требованиям RoHS, что отмечено суффиксом "P" в информации для заказа.

Технические параметры

Brand:Micro Commercial Components(MCC)
Fall Time:12.4 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:10.6 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Micro Commercial Components(MCC)
Package/Case:TO-252-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:34.5 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Особенности-
Pd - Power Dissipation:100 W
Typical Turn-On Delay Time:8.9 ns
Typical Turn-Off Delay Time:29.5 ns
Id - Continuous Drain Current:75 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)4.5 mOhms

Техническая документация