Моя заявка (0)
MCQ12N06-TP, null null 3.1W 9mOhm@12A,10V null SOP-8 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026222117
Артикул
MCQ12N06-TP
Бренд
Micro Commercial Components Corp. (MCC)
Brand:
Micro Commercial Components(MCC)
Fall Time:
8 ns
Rise Time:
4.5 ns
Вес, г
0.2
Цена по запросу
(от 101,95 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные МОП-транзисторы микрокомпоненты (MCC) N-канальные МОП-транзисторы средней мощности и малого сигнала имеют низкое сопротивление при включении (RDS) в диапазоне от 0,012 Ом до 8 Ом и высокое напряжение до 800 В. Эти прочные и надежные МОП-транзисторы доступны в широком ассортименте корпусов для поверxностного монтажа, включая SOT, DFN, SOP и Dpak. N-канальные МОП-транзисторы MCC N-канальные МОП-транзисторы средней мощности и малого сигнала имеют диапазон рабочиx температур от -55°C до 150°C или 175°C.

Технические параметры

Brand:Micro Commercial Components(MCC)
Fall Time:8 ns
Rise Time:4.5 ns
Вес, г0.2
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Micro Commercial Components(MCC)
Package/Case:SOP-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:31 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:4000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:3.1 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:10.5 ns
Typical Turn-Off Delay Time:29.5 ns
Id - Continuous Drain Current:12 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:9 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.1 V
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А12
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт3.1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)9мОм

Техническая документация