Моя заявка (0)

MCG50P03-TP, 30V 50A 6.2mOhm@15A,10V 83W P Channel DFN3333-8 MOSFETs

MCG50P03-TP, 30V 50A 6.2mOhm@15A,10V 83W P Channel DFN3333-8 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026222640
Артикул
MCG50P03-TP
Бренд
Micro Commercial Components Corp. (MCC)
FET Type
P-Channel
Vgs (Max)
±25V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
0.13
Цена по запросу
(от 91,56 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

P-канал 30 В 50 А 83 Вт для поверxностного монтажа DFN3333

Технические параметры

FET TypeP-Channel
Vgs (Max)±25V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.13
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case8-VDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 250µA
СтруктураP-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Power Dissipation (Pd)83W
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.2mOhm @ 15A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)83W
Supplier Device PackageDFN3333
Total Gate Charge (Qg@Vgs)111.7nC@10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs111.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss@Vds)6.464nF@15V
Continuous Drain Current (Id)50A
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6464 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A
Пороговое напряжение на затворе2.8V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А50
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт83
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±10В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)6.2mΩ@15A, 10V

Техническая документация