Моя заявка (0)

MBT6429DW1T1G, Транзистор: NPN x2, биполярный, 45В, 200мА, 150мВт, SOT363

MBT6429DW1T1G, Транзистор: NPN x2, биполярный, 45В, 200мА, 150мВт, SOT363

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8007206751
Артикул
MBT6429DW1T1G
Бренд
ON Semiconductor***
HTS
8541.21.00.95
Type
NPN
EU RoHS
Compliant
Material
Si
Цена по запросу
(от 85 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: NPN x2, биполярный, 45В, 200мА, 150мВт, SOT363 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Технические параметры

HTS8541.21.00.95
TypeNPN
EU RoHSCompliant
MaterialSi
MilitaryNo
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count6
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.02
PCB changed6
Part StatusActive
КорпусSOT-363
ConfigurationDual
Package Width1.25
Package Height0.9
Package Length2
Product CategoryBipolar Small Signal
Supplier PackageSC-88
Структураnpn
Standard Package NameSC
Minimum DC Current Gain500@0.01mA@5V|500@1mA@5V|500@0.1mA@5V|500@10mA@5V
Number of Elements per Chip2
Maximum Power Dissipation (mW)150
Maximum DC Collector Current (A)0.2
Maximum Emitter Base Voltage (V)6
Maximum Collector Base Voltage (V)55
Maximum Transition Frequency (MHz)700
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)45
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.2@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В45