MBT3946DW1T1G, Bipolar Transistor Array, General Purpose, Complementary NPN and PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8953712841
- Артикул
- MBT3946DW1T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 100
- Корпус
- SOT363-6
- Transistor Type
- NPN+PNP
- Структура
- npn
Цена по запросу
(от 19 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: NPN / PNP, биполярный, дополнительная пара, 40В, 0,2А
Технические параметры
| Вес, г | 100 |
| Корпус | SOT363-6 |
| Transistor Type | NPN+PNP |
| Структура | npn |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Collector Current (Ic) | 200mA |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Transition Frequency (fT) | 300MHz;250MHz |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@10mA, 1V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | - |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 40V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@50mA, 5mA;400mV@50mA, 5mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 200 mA |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 40 |