MBT3904DW1T3G, Транзистор биполярный BJT 40 В 150мВт 100 при 10 мА, 1 В 200 мА 300 МГц 300 мВ при 50 мА, 5 мА 2 NPN -55°C+150°C@(Tj) SOT-363
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017646496
- Артикул
- MBT3904DW1T3G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand
- ON Semiconductor
- Series
- MBT3904DW1
- Packaging
- Cut Tape or Reel
- Pin Count
- 6
Цена по запросу
(от 7,17 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor |
| Series | MBT3904DW1 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 1 |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | SOT-363(SC-88) |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Корпус | SOT-363 |
| Configuration | Dual |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SC-70-6 |
| Part # Aliases | MBT3904DW1T1G |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Factory Pack Quantity | 10000 |
| Pd - Power Dissipation | 625 mW |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Gain Bandwidth Product FT | 300 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 150 mW |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Collector- Base Voltage VCBO | -55 V |
| Continuous Collector Current | -2 A |
| Maximum DC Collector Current | 0.2 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 40 |
| Maximum Collector Base Voltage | 60 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 40 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | -35 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.3 V |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 300 |