MBT3904DW1T1G, Транзистор, 2-NPN, 40В, 0.2А, 0.150Вт, hFE=100…300 [SOT-363.]
![MBT3904DW1T1G, Транзистор, 2-NPN, 40В, 0.2А, 0.150Вт, hFE=100…300 [SOT-363.]](https://static.epl-electro.ru/lib/257/DOC005257820.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000175014
- Артикул
- MBT3904DW1T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.05
- Структура
- npn
- Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
- 0.15
- Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
- 0.2
Цена по запросу
(от 2,70 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ТРАНЗИСТОРНАЯ МАТРИЦА, ДВОЙНОЙ NPN, 40 В, SOT-363; Полярность транзистора: Двойной NPN; Максимальное напряжение коллектора-эмиттера NPN: 40 В; Максимальное напряжение коллектора-эмиттера PNP:-; Постоянный ток коллектора NPN: 200 мА; Постоянный C 42AC1733
Технические параметры
| Вес, г | 0.05 |
| Структура | npn |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.15 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.2 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 300 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 300 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 40 |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 40 |