LTU02N65A, 650V 2A 4-@10V,1A 55W 4V@250uA 6pF@25V N Channel 290pF@25V 9nC@10V -55-~+150-@(Tj) TO-251 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015898950
- Артикул
- LTU02N65A
- Бренд
- China Resources Microelectronics Limited
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 0.61
- Структура
- N-Channel
- Operating Temperature
- -55℃~+150℃@(Tj)
Цена по запросу
(от 41 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
650 В 2A 4Ohm при 10 В, 1A 55 Вт 4 В при 250uA N-канальные МОП-транзисторы TO-251 ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.61 |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 55W |
| Особенности | высоковольтный |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 9nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 290pF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 2A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 6pF@25V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 65 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 55 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4Ω@10V, 1A |