Моя заявка (0)

LSIC1MO170E0750, Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.4A; Idm: 11A; 60W

LSIC1MO170E0750, Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.4A; Idm: 11A; 60W

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070069885
Артикул
LSIC1MO170E0750
Бренд
Littelfuse
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
+22V, -6V
Technology
SiCFET(Silicon Carbide)
Вес, г
5
Цена по запросу
(от 1 115,69 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 1700 В 6,2А (Tc) 60 Вт (Tc) со сквозным отверстием TO-247AD

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)+22V, -6V
TechnologySiCFET(Silicon Carbide)
Вес, г5
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-247-3
Power Dissipation60W
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Drain Source Voltage1700V
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max)60W(Tc)
Supplier Device PackageTO-247AD
Continuous Drain Current6.2A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss)1700 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds200 pF @ 1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.2A(Tc)

Техническая документация