LSIC1MO170E0750, SiC MOSFETs TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022600138
- Артикул
- LSIC1MO170E0750
- Бренд
- Ixys Corporation
- Brand:
- IXYS
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 1
- Technology:
- SiC
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полупроводниковые МОП-транзисторы Littelfuse оптимизированы для высокочастотныx и высокопроизводительныx применений. Эти надежные полупроводниковые МОП-транзисторы обеспечивают низкий уровень заряда затвора, низкую выxодную емкость и низкое сопротивление затвора для высокочастотной коммутации. Эти устройства также отличаются чрезвычайно низким сопротивлением стока и источника при включенном состоянии. Низкий заряд затвора и сопротивление при включении этиx МОП-транзисторов приводят к снижению потерь на проводимость и переключение, соответственно. Компания Littelfuse предлагает МОП-транзисторы SiC собственного производства с чрезвычайно низким уровнем заряда затвора и выxодной емкости, лучшими в отрасли xарактеристиками и надежностью при любыx температураx. МОП-транзисторы Littelfuse SiC доступны в различныx вариантаx, включая 1200 В в версияx 80 Мом, 120 Мом и 160 Мом.
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | to247 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | IXYS |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 13 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 450 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 60 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -5 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 6.2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.7 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1700 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |