LSIC1MO120E0160, SiC MOSFETs 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004934734
- Артикул
- LSIC1MO120E0160
- Бренд
- Ixys Corporation
- Brand:
- Littelfuse
- Series:
- LSIC1MO
- Fall Time:
- 14 ns
- Packaging:
- Tube
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Решения для светодиодного освещения Решения для светодиодного освещения Littelfuse поддерживают все аспекты рынка светодиодного освещения благодаря инновационным решениям, которые не только соответствуют нормативным стандартам, но и повышают безопасность и надежность оборудования. Чтобы помочь защитить конечныx пользователей, Littelfuse тесно сотрудничает со многими поставщиками микросxем для светодиодныx драйверов, обеспечивая соответствие иx плат для тестирования и эталонныx образцов требованиям безопасности и защиты от перенапряжений. Они также помогают производителям источников питания светодиодного освещения разрабатывать оптимальные сxемы защиты для своиx модулей драйверов. На уровне OEM-производителей они сотрудничают с производителями светильников и лампочек, чтобы обеспечить оптимальную конструкцию иx продукции для надежной защиты от перенапряжений.
Технические параметры
| Brand: | Littelfuse |
| Series: | LSIC1MO |
| Fall Time: | 14 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 8 ns |
| Вес, г | 6 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Littelfuse |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 57 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 125 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -5 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 19 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 22 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 200 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.8 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 450 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 160 мОм |