LSI1012LT1G, 20V 500mA 225mW 700m-@4.5V,600mA 900mV@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015745228
- Артикул
- LSI1012LT1G
- Бренд
- Leshan Radio Co
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 0.04
- Корпус
- SOT-23
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 4,72 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
20 В 500 мА 225 МВт 700mOhm@4.5V, 600 мА 900 мВ при 250uA N-канальные МОП-транзисторы SOT-23 ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.04 |
| Корпус | SOT-23 |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 225mW |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 900mV @ 250uA |
| Continuous Drain Current (Id) | 500mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 700mО© @ 600mA,4.5V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 225mW |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 500mA |
| Пороговое напряжение на затворе | 900mV@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.225 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 700mΩ@4.5V, 600mA |