LP3418DT2AG, 30V 9.4A 25m-@10V,7.3A 3.1W 3V@250uA 112pF@15V P Channel 1370pF@15V 11.2nC@4.5 -50-~+150-@(Tj) DFN2020-6S MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015765737
- Артикул
- LP3418DT2AG
- Бренд
- Leshan Radio Co
- Type
- P Channel
- Вес, г
- 0.03
- Структура
- P-Channel
- Operating Temperature
- -50℃~+150℃@(Tj)
Цена по запросу
(от 20,04 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
30 В 9,4 А 25 Мом при 10 В, 7,3 А 3,1 Вт 3 В при 250uA P-канальные МОП-транзисторы U-DFN2020-6 ROHS
Технические параметры
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.03 |
| Структура | P-Channel |
| Operating Temperature | -50℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 3.1W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 11.2nC@4.5 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.37nF@15V |
| Continuous Drain Current (Id) | 9.4A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 112pF@15V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 25mΩ@10V, 7.3A |