Моя заявка (0)

LP3218DT1G, 12V 8.2A 1.7W 18m-@4.5V,7A 1V@250uA P Channel DFN2020-6S MOSFETs

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015807671
Артикул
LP3218DT1G
Бренд
Leshan Radio Co
Type
P Channel
Вес, г
0.03
Структура
P-Channel
Transistor Polarity
P Channel
Цена по запросу
(от 15,45 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

12 В 8,2А 1,7 Вт 18mOhm@4.5V,7 А 1 В при 250 мкА P-канальные МОП-транзисторы DFN-6L(2x2) ROHS

Технические параметры

TypeP Channel
Вес, г0.03
СтруктураP-Channel
Transistor PolarityP Channel
Power Dissipation (Pd)1.7W
Особенности-
Vgs - Gate-Source Voltage1V @ 250uA
Drain Source Voltage (Vdss)12V
Continuous Drain Current (Id)8.2A
Rds On - Drain-Source Resistance18mО© @ 7A,4.5V
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)1.7W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)1V@250uA
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage12V
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C8.2A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)18mΩ@4.5V, 7A
Пороговое напряжение на затворе1V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А8.2
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±10В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)18mΩ@4.5V, 7A

Техническая документация