LP2309LT1G, 60V 1.9A 1.4W 215m-@10V,1.8A 3V@250uA P Channel SOT-23E MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015784626
- Артикул
- LP2309LT1G
- Бренд
- Leshan Radio Co
- Type
- P Channel
- Вес, г
- 0.04
- Корпус
- SOT-23
- Структура
- P-Channel
Цена по запросу
(от 9,65 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы SOT-23 соответствуют требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.04 |
| Корпус | SOT-23 |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 1.5W |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 3V @ 250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 444.2pF |
| Continuous Drain Current (Id) | 2A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 215mО© @ 1.8A,10V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 1.4W |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 1.9A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.6V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 160mΩ@10V |