Моя заявка (0)

LP2305LT1G, 30V 4.2A 70m-@10V,4.2A 1.4W 1.3V@250uA P Channel SOT-23E MOSFETs ROHS

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015756422
Артикул
LP2305LT1G
Бренд
Leshan Radio Co
Вес, г
0.04
Корпус
SOT-23
Структура
P-Channel
Transistor Polarity
P Channel
Цена по запросу
(от 8,19 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.04
КорпусSOT-23
СтруктураP-Channel
Transistor PolarityP Channel
Power Dissipation (Pd)2.5W
Особенности-
Vgs - Gate-Source Voltage1.3V @ 250uA
Total Gate Charge (Qg@Vgs)24nC@10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)1.295nF@15V
Continuous Drain Current (Id)5.6A
Rds On - Drain-Source Resistance70mО© @ 4.2A,10V
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)1.4W
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage30V
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C4.2A
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)130pF@15V
Пороговое напряжение на затворе2V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4.2
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±10В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)46mΩ@10V, 4.4A

Техническая документация