LP2305DSLT1G, 12V 4A 68m-@4.5V,3.5A 1.1W 800mV@250uA P Channel SOT-23E MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015775568
- Артикул
- LP2305DSLT1G
- Бренд
- Leshan Radio Co
- Type
- P Channel
- Вес, г
- 0.04
- Корпус
- SOT-23
- Структура
- P-Channel
Цена по запросу
(от 6,96 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
12 В 4 А 68mOhm@4.5V,3,5 А, 1,1 Вт, 800 мВ при 250 мкА, P-канальные МОП-транзисторы SOT-23, соответствующие требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.04 |
| Корпус | SOT-23 |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 1.1W |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 800mV 250uA |
| Continuous Drain Current (Id) | 4A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 1.1W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 68mΩ 3.5A, 4.5V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 12V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 4A |
| Пороговое напряжение на затворе | 800mV@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 68mΩ@4.5V, 3.5A |