Моя заявка (0)

LP2301LT1G, 20V 2.3A 100m-@4.5V,2.8A 900mW 900mV@250uA P Channel SOT-23E MOSFETs

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015796777
Артикул
LP2301LT1G
Бренд
Leshan Radio Co
Type
P Channel
Вес, г
0.04
Корпус
SOT-23
Структура
P-Channel
Цена по запросу
(от 7,16 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

20 В 2,3А 100mOhm@4.5V,2,8А 900 МВт 900 мВ при 250uA P-канальные МОП-транзисторы SOT-23 ROHS

Технические параметры

TypeP Channel
Вес, г0.04
КорпусSOT-23
СтруктураP-Channel
Transistor PolarityP Channel
Operating Temperature-
Power Dissipation (Pd)900mW
Особенности-
Vgs - Gate-Source Voltage900mV @ 250uA
Total Gate Charge (Qg@Vgs)-
Input Capacitance (Ciss@Vds)-
Continuous Drain Current (Id)2.3A
Rds On - Drain-Source Resistance100mО© @ 2.8A,4.5V
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)900mW
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage20V
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C2.3A
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)-
Пороговое напряжение на затворе900mV@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2.3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.9
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±10В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)100mΩ@4.5V, 2.8A

Техническая документация