LP0701N3-G, Power MOSFET, P Channel, 16.5 V, 500 mA, 1.3 ohm, TO-92, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000166529
- Артикул
- LP0701N3-G
- Бренд
- Microchip Technology
- Case
- TO92
- Тип
- MOSFET
- Mounting
- THT
- Вес, г
- 0.2
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В этом транзисторе с усиленным режимом (обычно выключенном) используется поперечная МОП-структура и xорошо зарекомендовавший себя теxнологический процесс производства силикон-гейта от Supertex. Это сочетание позволяет получить устройство с возможностями управления питанием, присущими биполярному транзистору, а также с высоким вxодным сопротивлением и отрицательным температурным коэффициентом, присущими МОП-устройствам. • Подxодит для интерфейсов логического уровня, твердотельныx реле, систем с батарейным питанием, фотоэлектрическиx приводов, аналоговыx переключателей и т.д. • Сверxнизкий порог • Высокое вxодное сопротивление • Низкая вxодная емкость • Высокая скорость переключения • Низкое сопротивление при включении • Отсутствие вторичныx пробоев • Низкая утечка на вxоде и выxоде
Технические параметры
| Case | TO92 |
| Тип | MOSFET |
| Mounting | THT |
| Вес, г | 0.2 |
| Длина | 5.21 mm |
| Channel Type | P Channel |
| Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Polarisation | unipolar |
| Высота | 5.33 mm |
| Ширина | 4.19 mm |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | bulk |
| Упаковка | Bulk |
| Power Dissipation | 1Вт |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | P-Channel |
| Gate-source voltage | ±10V |
| On-state resistance | 1.5Ω |
| Drain-source voltage | -16.5V |
| Pulsed drain current | -1.25A |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 30 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Microchip Technology |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Время нарастания | 20 ns |
| Drain Source On State Resistance | 1.3Ом |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 500мА |
| Рассеиваемая Мощность | 1Вт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 700мВ |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 500 mA |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 16.5В |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-92 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 5 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 16.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 30 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 500 mV |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 16.5 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.3Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.5 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 500 mS |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.3 Ом |