LP0701LG-G, Транзистор P-МОП, -16,5В, -1,25А, 1,5Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017535741
- Артикул
- LP0701LG-G
- Бренд
- Microchip Technology
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- Microchip Technology
- Тип
- MOSFET
- Product:
- MOSFET Small Signals
Цена по запросу
(от 92 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 16.5V 1.5Ohm
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Brand: | Microchip Technology |
| Тип | MOSFET |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Fall Time: | 20 ns |
| Rise Time: | 20 ns |
| Вес, г | 0.08 |
| Длина | 4.9 mm |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Высота | 1.65 mm |
| Ширина | 3.9 mm |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Microchip |
| Package/Case: | SOIC-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Упаковка | Reel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Структура | P-МОП |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 20 ns |
| Factory Pack Quantity: | 3300 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.5 W |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single Quad Drain |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +10 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Торговая марка | Microchip Technology |
| Упаковка / блок | SOIC-8 |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Id - Continuous Drain Current: | 700 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Время нарастания | 20 ns |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.5 Ohms |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 16.5 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 700 mA |
| Размер фабричной упаковки | 3300 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 16.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 30 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1.5 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.25 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |